SAMSUNG – Présentation de la nouvelle mémoire Flashbolt HBM2E
L’entreprise Samsung Electronics vient d’annoncer aujourd’hui sa nouvelle génération de mémoire à grande bande passante lors de la conférence NVIDIA GTC 2019, nommée HBM2E. Visant à atteindre les meilleures performances de DRAM possibles, l’HBM2E offrira un débit de 3,2 gigabits par seconde (Gbps) par puce,… Lire la suite »SAMSUNG – Présentation de la nouvelle mémoire Flashbolt HBM2E