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GRAVURE – TSMC et SAMSUNG, comparaison de procédé 5 nm

ARM TSMC

Aujourd’hui nous avons le plaisir de vous présenter une analyse parue chez semiWiki, qui présente les différences entre les procédés 5 nm de chez TSMC et SAMSUNG, deux acteurs majeurs dans la production de puces. Bonne lecture !

Les deux fondeurs proposent chacun un procédé de gravure en 5nm, chez Samsung on retrouve le 5LPE et chez TSMC du N5. En termes de densité, TSMC propose quelque chose de bien meilleur que chez Samsung, avec un nombre plus élevé de transistors. Une avance de 37% sur cette densité par rapport à Samsung avec 173 millions par mm2  contre seulement 126 millions chez Samsung. 

Le procédé de chez TSMC serait bien moins coûteux que celui de chez Samsung, avec des étapes en moins, la plupart des constructeurs vont donc se tourner chez TSMC. Vous pouvez observer ces différences dans le tableau ci-dessous : 

5 NM TSMC

Samsung a annoncé un boost de 10% des performances par rapport au 7 nm et une consommation réduite de 20%. TSMC a quant à lui à annoncé une amélioration de 15% des performances et une amélioration de 30% de l’efficacité énergétique. Le procédé de TSMC devrait largement dépasser celui de Samsung et permettre à la société d’avoir le lead de cette technologie. 

TSMC SAMSUNG