Au sommet de la mémoire flash (Flash Memory Summit), Toshiba a annoncé qu’ils avaient réussi à développer des cellules de mémoire 5 bits basée sur leur mémoire QLC.
Petit rappel sur la densité de la mémoire flash, elle dépend de la quantité de bits disponibles dans une cellule de mémoire. Cela représente un certain nombre de niveaux de tension. Par exemple une cellule SLC (Single-Level Cell), dispose de deux niveaux de tension soit 1 bit d’information. Une cellule de QLC (Quad-Level Cell) dispose donc de 2^4 = 16 niveaux de tension, la cellule est donc huit fois plus dense.
Toshiba a présenté un prototype de mémoire PLC (Penta-Level cell) à partir de QLC modifiée. Cela permet de doubler la densité de mémoire face à la QLC qui est déjà bien dense. Néanmoins, comme à chaque augmentation de densité, les performances et la durabilité en pâtissent. Se positionner sur 32 différents niveaux de tension et les lire sans erreur demande bien plus d’effort que dans une cellule SLC par exemple.
La QLC est déjà décriée comme étant peu performante et peu fiable. Néanmoins il est indéniable que l’augmentation de la densité permet d’avoir des SSD avec de grosses capacités à faible prix… Toshiba va devoir se démener pour avoir des performances acceptables sur de potentiels futurs SSD en PLC. En espérant qu’on ne se retrouve pas à terme avec un marché inondé de SSD peu performants.