SK Hynix a annoncé aujourd’hui le développement de modules DRAM HBM2E avec le débit le plus important du marché.
Cette nouvelle génération de mémoire, la HBM2E, prétend avoir une bande passante 50% plus importante tout en ayant une capacité 100% plus volumineuse.
La HBM2E de Hynix supporte donc 460 Go/s de bande passante grâce aux 3.6 Gb/s (bits) par pin avec 1024 pins d’in/output de données.
Grâce à l’utilisation de la technologie TSV (Through Silicon Via), permettant de mieux empiler les couches de silicone, on obtient des puces mémoires de 16 Go (8x16Gb stackés grâce au TSV).
SK Hynix affirme que l’HBM2E sera une solution optimale aux énormes besoins en mémoire rapide et volumineuse de la nouvelle ère informatique qui arrive : l’ère du HPC, deep-learning, intelligence artificielle, GPU computing etc…
Pour rappel, la mémoire HBM est directement intégrée dans les dies permettant d’avoir une inter-connexion largement plus courte -donc rapide- avec l’unité de calcul, le plus couramment des GPUs.
Hynix commencera la production de masse de la HBM2E en 2020, moment où ils pensent que le marché sera préparé à accueillir cette mémoire.